Рекомендуемая схема применения
Таблица 4. Таблица внешних компонентов
| Обозначение | Номинал | Примечание |
|---|---|---|
| R1 | 510 кОм | |
| R2 | 20 Ом | |
| R3, R4 | 27 кОм | |
| R5, R6 | 10 кОм | |
| C1, C2 | 12 пФ | |
| C3, C4, C6, C7, C8, C10, C11, C12, C14, C16, C18, C19, C20 | 0,1 мкФ | |
| C5, C9, C13, C15, C17 | 4,7 мкФ | Не обязательны, рекомендуются для выравнивания заряда |
| C21, C22 | 330 пФ | |
| ZQ | 10 МГц | Кварцевый резонатор |
Конденсаторы либо высокочастотные керамические, либо сдвоенные. В случае сдвоенных конденсаторов, один из них обязательно должен быть высокочастотный керамический емкостью не менее 10 нФ. Шунтирующие конденсаторы должны располагаться на плате в непосредственной близости к соответствующим выводам микросхемы.
Примечания: При VDDD < 3,6 В необходимо объединить выводы VDDD3P3 (31) и VDDD (33). При VDDA < 3,6 В необходимо объединить выводы VDDA3P3 (30) и VDDA (63). Допускается подключение VDDIO (45) к питанию VDDD (33) или VDDD3P3 (31). Для программирования ячейки OTP памяти вывод VPP (35) запитывается 9,8 В ± 0,3 В, для чтения ячеек вывод VPP (35) запитывается 3,3 В. При VREF_en = 0 (регистр AFE_config) вывод VREF2P5 (11) должен быть запитан опорным уровнем 2,5 В. При использовании внешнего тактового генератора подключенного к выводу CLK60 (39) вывод TP_QI () подключить к VDDD3P3, вывод TP_QO подключить к GND.
Д - Делитель напряжения для выравнивания амплитуды (опционально)
Р - Разделительные конденсаторы C1, C2 для развязки по постоянному току (опционально)
Т - Трансофрматорная развязка по постоянному напряжению
Д - Делитель напряжения для выравнивания амплитуды (опционально)
