Рекомендуемая схема применения
Таблица 4. Таблица внешних компонентов
| Компонент | Номинал |
|---|---|
| R1,R2 | 27 KОм |
| R3,R4 | 10 KОм |
| C1,C2 | 330 пФ |
| C3 – C13, C16 | 0,1 мкФ |
| C14, C15 | 12 пФ |
| C17 | 1 нФ |
| R5 | 330 Ом |
| ZQ – кварцевый резонатор с частотой до 20 МГц | |
Конденсаторы либо высокочастотные керамические, либо сдвоенные. В случае сдвоенных конденсаторов, один из них обязательно должен быть высокочастотный керамический емкостью не менее 10 нФ. Шунтирующие конденсаторы должны располагаться на плате в непосредственной близости к соответствующим выводам микросхемы.
Примечания: При VDDD < 3,6 В необходимо объединить выводы VDDD3P3 (31) и VDDD (33). При VDDA < 3,6 В необходимо объединить выводы VDDA3P3 (30) и VDDA (63). Допускается подключение VDDIO (45) к питанию VDDD (33) или VDDD3P3 (31). Допускается подача внешнего напряжения 1,8 В на вывод VDD1P8 (36, 61). Для программирования ячейки OTP памяти вывод VPP (35) запитывается 9,0 В ± 0,3 В, для чтения ячеек вывод VPP (35) запитывается 3,3 В. При VREF_en = 0 (регистр AFE_config) вывод VREF2P5 (11) должен быть запитан опорным уровнем 2,5 В. При использовании внешнего тактового генератора подключенного к выводу CLK60 (39) вывод OSCI (38) подключить к VSSD, вывод OSCO (37) оставить в обрыве.
Д - Делитель напряжения для выравнивания амплитуды (опционально)
Р - Разделительные конденсаторы C1, C2 для развязки по постоянному току (опционально)
Т - Трансофрматорная развязка по постоянному напряжению
Д - Делитель напряжения для выравнивания амплитуды (опционально)
